Masayuki Mori

Monzur-Ul-Akhir, A. A. M., Mori, M. & Maezawa, K., 2019/05, 2019 Joint 8th International Conference on Informatics, Electronics and Vision, ICIEV 2019 and 3rd International Conference on Imaging, Vision and Pattern Recognition, icIVPR 2019 with International Conference on Activity and Behavior Computing, ABC 2019. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., p. 312-317 6 p. 8858576. (2019 Joint 8th International Conference on Informatics, Electronics and Vision, ICIEV 2019 and 3rd International Conference on Imaging, Vision and Pattern Recognition, icIVPR 2019 with International Conference on Activity and Behavior Computing, ABC 2019).

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2018

Possibilities of large voltage swing hard-type oscillators based on series-connected resonant tunneling diodes

Maezawa, K. & Mori, M., 2018/05, In: IEICE Transactions on Electronics. E101C, 5, p. 305-310 6 p.

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9 被引用数 (Scopus)

2017

Experimental demonstration of strain detection using resonant tunneling delta-sigma modulation sensors

Tajika, T., Kakutani, Y., Mori, M. & Maezawa, K., 2017/03/01, In: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 214, 3, 1600548.

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12 被引用数 (Scopus)

Heteroepitaxial growth of InGaSb on GaSb/Si(111)–√3 × √3-Ga surface phase with a two-step growth method to investigate the impact of high-quality GaSb buffer layer

Monzur-Ul-Akhir, A. A. M., Mori, M. & Maezawa, K., 2017/02/01, In: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 254, 2, 1600528.

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5 被引用数 (Scopus)

2015

Resonant tunneling super regenerative detectors detecting higher frequency signals than their free-running oscillation frequency

Pan, J., Kakutani, Y., Nakayama, T., Mori, M. & Maezawa, K., 2015/03/01, In: IEICE Transactions on Electronics. E98C, 3, p. 260-266 7 p.

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2014

Heteroepitaxial growth of InSb thin films on a Ge(111) substrate

Mitsueda, T., Sakamoto, T., Shimoyama, H., Mori, M. & Maezawa, K., 2014/07/28, IMFEDK 2014 - 2014 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 6867069. (IMFEDK 2014 - 2014 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai).

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2013

Effective mobility enhancement in Al₂O₃/InSb/Si quantum well metal oxide semiconductor field effect transistors for thin insb channel layers

Ito, T., Kadoda, A., Nakayama, K., Yasui, Y., Mori, M., Maezawa, K., Miyazaki, E. & Mizutani, T., 2013/04, In: Japanese Journal of Applied Physics. 52, 4 PART 2, 04CF01.

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13 被引用数 (Scopus)

Fluidic self-assembly using molten Ga bumps and its application to resonant tunneling diodes

Nakano, J., Shibata, T., Morita, H., Sakamoto, H., Mori, M. & Maezawa, K., 2013/11, In: Japanese Journal of Applied Physics. 52, 11 PART 1, 116501.

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1 被引用数 (Scopus)

Low resistance ohmic contacts to n-InSb employing Sn-alloys

Hosotani, K., Ito, T., Yasui, Y., Nakayama, K., Kadoda, A., Mori, M. & Maezawa, K., 2013, IMFEDK 2013 - 2013 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai. p. 72-73 2 p. 6602246. (IMFEDK 2013 - 2013 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai).

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Optical and structural characterization of CdSe and CdTe layers and fabrication of a CdTe/CdSe structure

Alam, S., Pathan, M. A. K., Siddiquee, K. A. M. H., Islam, A. B. M. O., Gafur, M. A., Saha, D. K., Mori, M. & Tambo, T., 2013/08, In: Optik. 124, 15, p. 2165-2170 6 p.

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11 被引用数 (Scopus)

Possibility of THz detection with resonant tunneling super regenerative detectors based on extremely high order harmonics

Maezawa, K., Pan, J., Wu, D., Kakutani, Y., Nakano, J. & Mori, M., 2013/10/08, In: IEICE Electronics Express. 10, 20, 20130676.

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Open Access

1 被引用数 (Scopus)

2012

A proposal of high-performance samplers based on resonant tunneling diodes

Maezawa, K., Pan, J., Wu, D. & Mori, M., 2012/11, In: IEICE Transactions on Electronics. E95-C, 11, p. 1830-1833 4 p.

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4 被引用数 (Scopus)

Characterization of Al ₂O ₃/InSb/Si MOS diodes having various InSb thicknesses grown on Si(111) substrates

Kadoda, A., Iwasugi, T., Nakatani, K., Nakayama, K., Mori, M., Maezawa, K., Miyazaki, E. & Mizutani, T., 2012/04/04, In: Semiconductor Science and Technology. 27, 4, 045007.

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7 被引用数 (Scopus)

Effects of initial in coverage for preparation of InSb bilayer on electrical properties of InSb films grown by surface reconstruction controlled epitaxy

Mori, M., Yasui, Y., Nakayama, K., Nakatani, K. & Maezawa, K., 2012/02, In: Japanese Journal of Applied Physics. 51, 2 PART 2, 02BH03.

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10 被引用数 (Scopus)

Possibility of high order harmonic oscillators based on active transmission lines loaded with resonant tunneling diode Pairs

Pan, J., Hayano, K., Mori, M. & Maezawa, K., 2012/08, In: IEICE Transactions on Electronics. E95-C, 8, p. 1385-1388 4 p.

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2 被引用数 (Scopus)

2011

Effects of deposition conditions of first InSb layer on electrical properties of n-type InSb films grown with two-step growth method via InSb bilayer

Khamseh, S., Yasui, Y., Nakayama, K., Nakatani, K., Mori, M. & Maezawa, K., 2011/04, In: Japanese Journal of Applied Physics. 50, 4 PART 2, 04DH13.

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Open Access

13 被引用数 (Scopus)

Step hall measurement of insb films grown on si(111) substrate using insb bilayer

Nakayama, K., Nakatani, K., Khamseh, S., Mori, M. & Maezawa, K., 2011/01, In: Japanese Journal of Applied Physics. 50, 1 PART 3, 01BF01.

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4 被引用数 (Scopus)

2010

A third order harmonic oscillator based on coupled resonant tunneling diode pair oscillators

Maezawa, K., Ohe, T., Kasahara, K. & Mori, M., 2010/08, In: IEICE Transactions on Electronics. E93-C, 8, p. 1290-1294 5 p.

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2 被引用数 (Scopus)

A traveling wave amplifier based on composite right/left handed (CRLH) transmission lines periodically loaded with resonant tunneling diode pairs

Maezawa, K., Kasahara, K. & Mori, M., 2010, 2010 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 22nd IPRM - Conference Proceedings. p. 362-365 4 p. 5516365. (Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials).

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3 被引用数 (Scopus)

Heteroepitaxial growth of InSb films on the patterned Si(001) substrate

Iwasugi, T., Mori, M., Igarashi, H., Murata, K., Saito, M. & Maezawa, K., 2010/01/31, In: Physics Procedia. 3, 2, p. 1329-1333 5 p.

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Open Access

3 被引用数 (Scopus)

InSb films grown on the V-grooved Si(001) substrate with InSb bilayer

Mori, M., Khamseh, S., Iwasugi, T., Nakatani, K., Murata, K., Saito, M. & Maezawa, K., 2010/01/31, In: Physics Procedia. 3, 2, p. 1335-1339 5 p.

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Open Access

6 被引用数 (Scopus)

2009

Heteroepitaxial growth of a rotated AlInSb layer mediated by an InSb bi-layer on a Si(111) substrate

Saito, M., Mori, M., Ueda, K. & Maezawa, K., 2009, In: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 6, 6, p. 1497-1500 4 p.

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1 被引用数 (Scopus)

Heteroepitaxial Growth of InSb Films on V-Grooved Si(001) Substrate

Mori, M., Igarashi, H., Iwasugi, T., Murata, K., Maezawa, K. & Saito, M., 2009/05/30, In: e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 7, p. 669-672 4 p.

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High quality InSb films grown on Si(111) substrate via InSb Bi-layer

Mori, M., Nagashima, K., Ueda, K., Yoshida, T., Tatsuyama, C., Maezawa, K. & Saito, M., 2009/03/07, In: e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 7, p. 145-148 4 p.

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Open Access

12 被引用数 (Scopus)

High-temperature growth of heteroepitaxial InSb films on Si(1 1 1) substrate via the InSb bi-layer

Mori, M., Saito, M., Nagashima, K., Ueda, K., Yoshida, T. & Maezawa, K., 2009/03/15, In: Journal of Crystal Growth. 311, 7, p. 1692-1695 4 p.

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12 被引用数 (Scopus)

Microstructure and H₂ gas sensing properties of undoped and Pd-doped SnO₂ nanowires

Shen, Y., Yamazaki, T., Liu, Z., Meng, D., Kikuta, T., Nakatani, N., Saito, M. & Mori, M., 2009/01/15, In: Sensors and Actuators, B: Chemical. 135, 2, p. 524-529 6 p.

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207 被引用数 (Scopus)

Possibility of terahertz amplification by active transmission lines loaded with resonant tunneling diode pairs

Maezawa, K., Sakamoto, T., Kasahara, K. & Mori, M., 2009/12, In: Japanese Journal of Applied Physics. 48, 12, 124503.

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8 被引用数 (Scopus)

2008

Crystal orientations of InSb films grown on a Si(111) substrate by inserting AlSb buffer layer

Murata, K., Ahmad, N. B., Mori, M., Tambo, T. & Maezawa, K., 2008, In: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 5, 9, p. 2778-2780 3 p.

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Effects of In and Sb mono-layers to form rotated InSb films on a Si(1 1 1) substrate

Saito, M., Mori, M. & Maezawa, K., 2008/07/30, In: Applied Surface Science. 254, 19, p. 6052-6054 3 p.

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8 被引用数 (Scopus)

Heteroepitaxial InSb films grown via Si(111)-√7x√3-In surface reconstruction

Mori, M., Saito, M., Nagashima, K., Ueda, K., Yamashita, Y., Tatsuyama, C., Tambo, T. & Maezawa, K., 2008, In: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 5, 9, p. 2772-2774 3 p.

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8 被引用数 (Scopus)

2007

Effect of AlSb buffer layer thickness on heteroepitaxial growth of InSb films on a Si(001) substrate

Mori, M., Murata, K., Fujimoto, N., Tatsuyama, C. & Tambo, T., 2007/07/31, In: Thin Solid Films. 515, 20-21, p. 7861-7865 5 p.

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12 被引用数 (Scopus)

Heteroepitaxial growth of rotated InSb films on a Si(1 1 1) substrate via 2×2-In surface reconstruction

Mori, M., Saito, M., Yamashita, Y., Nagashima, K., Hashimoto, M., Tatsuyama, C. & Tambo, T., 2007/04, In: Journal of Crystal Growth. 301-302, SPEC. ISS., p. 207-211 5 p.

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23 被引用数 (Scopus)

Low-temperature growth of InSb(1 1 1) on Si(1 1 1) substrate

Murata, K., Ahmad, N. B., Tamura, Y., Mori, M., Tatsuyama, C. & Tambo, T., 2007/04, In: Journal of Crystal Growth. 301-302, SPEC. ISS., p. 203-206 4 p.

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8 被引用数 (Scopus)

2006

Heteroepitaxy of InSb films grown on a Si(001) substrate with AlSb buffer layer

Mori, M., Fujimoto, N., Akae, N., Uotani, K., Tambo, T. & Tatsuyama, C., 2006/01/15, In: Journal of Crystal Growth. 286, 2, p. 218-222 5 p.

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8 被引用数 (Scopus)

Interdiffusion at Si/SiGe interface analyzed by high-resolution X-ray diffraction

Zheng, S., Kawashima, M., Mori, M., Tambo, T. & Tatsuyama, C., 2006/06/05, In: Thin Solid Films. 508, 1-2, p. 156-159 4 p.

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12 被引用数 (Scopus)

2005

Sb adsorption onto in nanocluster array structure formed on a Si(1 1 1)-(7 × 7)

Saito, M., Takeuchi, C., Mori, M., Tambo, T. & Tatsuyama, C., 2005/05/15, In: Applied Surface Science. 244, 1-4, p. 137-140 4 p.

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3 被引用数 (Scopus)

2004

Modification of Sb/Si(0 0 1) interface by incorporation of In(4 × 3) surface reconstruction

Gruznev, D. V., Ohmura, K., Mori, M., Tambo, T., Lifshits, V. G. & Tatsuyama, C., 2004/10/15, In: Applied Surface Science. 237, 1-4, p. 99-104 6 p.

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2003

Atomic structure and formation process of the Si(1 1 1)-Sb(√7 × √7) surface phase

Gruznev, D., Rao, B. V., Furukawa, Y., Mori, M., Tambo, T., Lifshits, V. G. & Tatsuyama, C., 2003/05/15, In: Applied Surface Science. 212-213, SPEC., p. 135-139 5 p.

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9 被引用数 (Scopus)

Heteroepitaxial growth of InSb films on a Si(0 0 1) substrate via AlSb buffer layer

Mori, M., Akae, N., Uotani, K., Fujimoto, N., Tambo, T. & Tatsuyama, C., 2003/06/30, In: Applied Surface Science. 216, 1-4 SPEC., p. 569-574 6 p.

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19 被引用数 (Scopus)

Study of Sb adsorption on the Si(0 0 1)-In(4 × 3) surface

Gruznev, D., Furukawa, Y., Mori, M., Tambo, T., Lifshits, V. G. & Tatsuyama, C., 2003/06/30, In: Applied Surface Science. 216, 1-4 SPEC., p. 35-40 6 p.

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2 被引用数 (Scopus)

2001

Twinned InSb molecular layer on Si(1 1 1) substrate

Rao, B. V., Gruznev, D., Mori, M., Tambo, T. & Tatsuyama, C., 2001/11/01, In: Surface Science. 493, 1-3, p. 373-380 8 p.

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6 被引用数 (Scopus)

2000

Effect of current flow direction on the heteroepitaxial growth of InSb films on Ge/Si(001) substrate heated by direct current

Mori, M., Nizawa, Y., Nishi, Y., Mae, K., Tambo, T. & Tatsuyama, C., 2000/06, In: Applied Surface Science. 159, p. 328-334 7 p.

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8 被引用数 (Scopus)

Growth temperature effect on the heteroepitaxy of InSb on Si(111)

Rao, B. V., Okamoto, T., Shinmura, A., Gruznev, D., Mori, M., Tambo, T. & Tatsuyama, C., 2000/06, In: Applied Surface Science. 159, p. 335-340 6 p.

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9 被引用数 (Scopus)

1998

Growth temperature effect on the heteroepitaxy of InSb films on a Si(001) substrate covered with Ge islands

Mori, M., Nizawa, Y., Nishi, Y., Tambo, T. & Tatsuyama, C., 1998/11/25, In: Thin Solid Films. 333, 1-2, p. 60-64 5 p.

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8 被引用数 (Scopus)

1997

Growth of InSb films on a Si(001) substrate with Ge buffer layer

Mori, M., Tsubosaki, Y., Tambo, T., Ueba, H. & Tatsuyama, C., 1997/06/02, In: Applied Surface Science. 117-118, p. 512-517 6 p.

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14 被引用数 (Scopus)

森 雅之

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