年別の研究成果
年別の研究成果
プロジェクトの詳細
研究概要
本研究では、Si基板上における良質なInSb, AlInSb薄膜の形成を目指した。Si基板上での低消費電力高速論理回路のためのInSb-basedデバイス集積化を将来的な目標とする。Si基板とInSb,AlInSb間の大きな格子不整合の問題を解決するために、1)InSb/Si, AlInSb/Si間にInSb単分子層の導入2)Si(001)基板上に傾斜(111)面の形成、を行うことで、従来の直接成長と比べ、薄く品質の良い薄膜形成が可能である事を示した。
| ステータス | 終了 |
|---|---|
| 有効開始/終了日 | 2007/01/01 → 2008/12/31 |
資金調達
- Japan Society for the Promotion of Science: ￥2,270,000
キーワード
- ヘテロエピタキシャル成長
- インジウムアンチモン(InSb)
- シリコン(Si)
- MBE
- InSb
- Si
-
High quality InSb films grown on Si(111) substrate via InSb Bi-layer
Mori, M., Nagashima, K., Ueda, K., Yoshida, T., Tatsuyama, C., Maezawa, K. & Saito, M., 2009/03/07, In: e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 7, p. 145-148 4 p.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術論文 › 査読
Open Access12 被引用数 (Scopus) -
Effects of In and Sb mono-layers to form rotated InSb films on a Si(1 1 1) substrate
Saito, M., Mori, M. & Maezawa, K., 2008/07/30, In: Applied Surface Science. 254, 19, p. 6052-6054 3 p.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 学術論文 › 査読
8 被引用数 (Scopus) -
Heteroepitaxial InSb films grown via Si(111)-√7x√3-In surface reconstruction
Mori, M., Saito, M., Nagashima, K., Ueda, K., Yamashita, Y., Tatsuyama, C., Tambo, T. & Maezawa, K., 2008, In: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 5, 9, p. 2772-2774 3 p.研究成果: ジャーナルへの寄稿 › 会議記事 › 査読
8 被引用数 (Scopus)