高エネルギー密度パルスイオンビームによる半導体へのイオン注入技術の開発

  • MASUGATA, Katsumi (研究代表者)
  • 高橋, 隆一 (研究分担者)
  • 村井, 忠邦 (研究分担者)

プロジェクトの詳細

研究概要

PFから発生されるパルスイオンビームをシリコン、アルミニウム、ステンレス等のターゲットに照射し、照射前後の材料の評価を行った。ビーム照射による表面の溶融、結晶性の変化、硬度の変化などを確認した。
ステータス終了
有効開始/終了日2004/01/01 → 2005/12/31

資金調達

  • Japan Society for the Promotion of Science: ￥3,700,000

キーワード

  • パルスイオン注入
  • パルスイオンビーム
  • 両極性パルス加速器
  • パルス窒素イオンビーム
  • パルスアルミイオンビーム
  • SiC
  • Pulsed Ion Beam Implantation
  • Pulsed Ion Beam
  • Bipolar Pulse Accelerator
  • Pulsed Nitrogen Ion Beam
  • Pulsed Aluminum Ion Beam
  • Silicon Carbide

プロジェクトにアクセス

  • 1 会議への寄与

  • Multiple compressions in the middle energy plasma focus device

    Yousefi, H. R., Ejiri, Y., Ito, H. & Masugata, K., 2006/01/15, PLASMA 2005: Int. Conf. PLASMA-2005 on Res. and Applic. of Plasmas; 3rd German-Polish Conf. on Plasma Diagnostics for Fusion Applic.; 5th French-Polish Seminar on Thermal Plasma in Space and Lab.. p. 249-251 3 p. (AIP Conference Proceedings; vol. 812).

    研究成果: 書籍の章/レポート/会議録 › 会議への寄与 › 査読

    1 被引用数 (Scopus)