Masayuki Mori - プロジェクト - 富山大学

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8 件

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表面再構成制御成長法を用いたSi基板上へのInSb系CMOSの作製
Mori, M. (PI)
2018/04/01 → 2022/03/31
プロジェクト: 研究
マイクロ波/ミリ波エレクトロニクスのための非晶質酸化物半導体共鳴トンネル素子
Maezawa, K. (PI), Mori, M. (CoI) & Toya, K. K. (CoI)
2016/04/01 → 2019/03/31
プロジェクト: 研究
反射電磁波との共鳴現象を用いた周波数ΔΣ変調方式変位/振動センサ
Maezawa, K. (PI) & Mori, M. (CoI)
2014/04/01 → 2016/03/31
プロジェクト: 研究
MEMS/共鳴トンネル素子集積化によるTHzサンプリング及び波形生成技術の研究
Maezawa, K. (PI) & Mori, M. (CoI)
2013/05/31 → 2017/03/31
プロジェクト: 研究
表面再構成制御成長法を用いたSi基板上InSb-CMOSの研究
Mori, M. (PI) & Maezawa, K. (CoI)
2013/04/01 → 2017/03/31
プロジェクト: 研究
表面再構成制御成長法を用いたSi上InSb系超高速・超低消費電力デバイスの作製
Mori, M. (PI) & Maezawa, K. (CoI)
2010/04/01 → 2013/03/31
プロジェクト: 研究
共鳴トンネルアクティブ伝送線路とそれを用いたTHz信号生成・処理技術
Maezawa, K. (PI) & Mori, M. (CoI)
2008/04/01 → 2011/03/31
プロジェクト: 研究
表面再構成制御成長法によるSi上InSb量子井戸作成とその超高速FETへの応用
Mori, M. (PI)
2007/04/01 → 2010/03/31
プロジェクト: 研究