表面再構成制御成長法によるSi上InSb量子井戸作成とその超高速FETへの応用

超高速・超低消費電力デバイスへの応用が期待されているInSbを用いたFET実現のため、表面再構成制御成長法というSi上のIn及びSb誘起表面再構成構造を利用して薄膜の面内回転を誘発させることで格子不整合を緩和するという新しい成長方法を用いて、InSb及びAlInSb薄膜を作製し、その特性評価を行った。Si(111)-√×√-In再構成を用いることで、100%回転したInSb及びAlInSb薄膜の成長に成功した。しかし、得られたAlInSb薄膜は正孔濃度が高く低抵抗だったため、試作したFETはトランジスタ動作しなかった。