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表面再構成制御成長法を用いたSi基板上へのInSb系CMOSの作製
Mori, Masayuki
(PI)
工学科 電気電子工学コース
概要
プロジェクトの詳細
ステータス
終了
有効開始/終了日
2018/04/01
→
2022/03/31
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プロジェクトにアクセス
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18H01496/