表面再構成制御成長法を用いたSi上InSb系超高速・超低消費電力デバイスの作製

超高速・超低消費電力デバイスへの応用が期待されているInSbを用いたFETを実現するため、Si基板上に非常に薄いInSbを表面再構成制御成長法を用いて成長し、その上にAl2O3絶縁膜を10～30nm堆積された、新しい擬似整合量子井戸型の電界効果トランジスタを作製し、評価した。その結果、InSb層の膜厚が15nm、ゲート長5μm、ゲート幅40μmのデバイスにおいて、相互コンダクタンスが63mS/mmという比較的良好な特性が得られた。