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High-temperature growth of heteroepitaxial InSb films on Si(1 1 1) substrate via the InSb bi-layer
M. Mori
*
, M. Saito, K. Nagashima, K. Ueda, T. Yoshida, K. Maezawa
*
この論文の責任著者
工学科 電気電子工学コース
研究成果
:
ジャーナルへの寄稿
›
学術論文
›
査読
12
被引用数 (Scopus)
概要
フィンガープリント
フィンガープリント
「High-temperature growth of heteroepitaxial InSb films on Si(1 1 1) substrate via the InSb bi-layer」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。
並べ替え順
重み付け
アルファベット順
Keyphrases
Adsorption
11%
Desorption
11%
Electron Mobility
11%
Heteroepitaxial Structures
100%
High-temperature Growth
100%
InSb
100%
Layer Deposition
11%
Si(111)
100%
Substrate Temperature
11%
Surface Reconstruction
11%
Two-step Growth
11%
Material Science
Desorption
25%
Electron Mobility
25%
Film
100%
Surface Reconstruction
25%