EXAFS study of semimetal-semiconductor transition of bismuth clusters

H. Ikemoto*, T. Miyanaga, S. Yoshida, J. Sogoh

*この論文の責任著者

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抄録

Extended X-ray absorption fine structure (EXAFS) measurements of bismuth clusters in the temperature range of 23 -300 K have been performed using synchrotron radiation in order to investigate the size dependent phase transition. The inter-atomic distances around 3.0 Å and 3.6 Å are attributed to the nearest neighbors within the layer and between layers, respectively. EXAFS functions were analysed by the curve fitting method within a symmetric distribution approximation. The nearest neighbor distance of the 0.5 nm thick films is shorter than that of the 300 nm thick films at all the temperatures, which is related to the reduction of the inter-layer correlation.

本文言語英語
ホスト出版物のタイトルX-RAY ABSORPTION FINE STRUCTURE - XAFS13
ホスト出版物のサブタイトル13th International Conference
ページ437-439
ページ数3
DOI
出版ステータス出版済み - 2007
イベントX-RAY ABSORPTION FINE STRUCTURE - XAFS13: 13th International Conference - Stanford, CA, 米国
継続期間: 2006/07/092006/07/14

出版物シリーズ

名前AIP Conference Proceedings
882
ISSN(印刷版)0094-243X
ISSN(電子版)1551-7616

学会

学会X-RAY ABSORPTION FINE STRUCTURE - XAFS13: 13th International Conference
国/地域米国
CityStanford, CA
Period2006/07/092006/07/14

ASJC Scopus 主題領域

  • 物理学および天文学一般

フィンガープリント

「EXAFS study of semimetal-semiconductor transition of bismuth clusters」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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