抄録
Dual self-aligned vertical multi-channel organic transistor (DSA-VMCOT) has proposed and demonstrated. Layout of shadow gate and transparent source/drain are sequentially determined using dual back-surface exposure. Vertical 100 nm-channel and multi-structures are obtained using interdigital gate electrodes. This device is promising for a back-plane with high current driving capability.
| 本文言語 | 英語 |
|---|---|
| ページ | 1987-1988 |
| ページ数 | 2 |
| 出版ステータス | 出版済み - 2007 |
| イベント | 14th International Display Workshops, IDW '07 - Sapporo, 日本 継続期間: 2007/12/05 → 2007/12/05 |
学会
| 学会 | 14th International Display Workshops, IDW '07 |
|---|---|
| 国/地域 | 日本 |
| City | Sapporo |
| Period | 2007/12/05 → 2007/12/05 |
ASJC Scopus 主題領域
- 電子工学および電気工学
- 電子材料、光学材料、および磁性材料
- 放射線学、核医学およびイメージング
- 原子分子物理学および光学