MLEC法によるGaAs完全結晶を育成するための理論的研究

  • Kobayashi, Nobuyuki (研究代表者)
  • 岩城, 敏博 (研究分担者)

プロジェクトの詳細

研究概要

融液に縦磁界を加えた時の融液中の温度分布と対流を電子計算機により数値的に求めるプログラムにより、磁界による融液中の対流は抑えられることが明らかになった。また、ルツボの回転にも、縦磁界が流れを軸方向に二次元化するのと同じような作用があることが分かった。これより、融液にルツボの回転を加えることにより、良質な結晶を得ることができることが分かった。さらに、融液の表面近傍には、シリコンと同じように、表面張力による流れ(マランゴニ対流)が存在する可能性があるので、その振舞と磁界の効果を調べた。その結果、マランゴニ対流は自然対流によく似た性質を示すことが分かった。
ステータス終了
有効開始/終了日1985/01/011986/12/31

資金調達

  • Japan Society for the Promotion of Science: ¥1,900,000

キーワード

  • 結晶成長
  • LEC法
  • 引上法
  • 温度分布
  • 熱応力
  • 転位密度
  • 対流
  • マランゴニ対流
  • Crystal Growth
  • Perfect Crystal
  • Czochralski method
  • MLEC method
  • GaAs
  • Convection
  • Heat transfer