高強度パルス重イオンビームの連続運転とパルスイオン注入技術の制御精度向上への挑戦

本研究の目的である次世代半導体への新しい導電率制御技術の実現を達成するため、パルスイオンビームによるp-n接合の作製を試み、パルスイオン注入法の有用性を実証する。この目的に向け、本計画の前半では、パルスイオンビーム源の繰返し運転に向けた装置改良及びイオンビームのショット安定性などの出力特性を評価する。後半では、半導体材料にp型・n型ドーパント用のパルス重イオンビームを照射し、イオン注入量や注入深さのショット安定性や精度を評価し、p-n接合試料の電気特性などを評価する。