無転位半導体結晶の育成に関する応力解析

前述の数値計算をもとに、fcc結晶の分解せん断応力分布を求めた。さらに、Penningの考えを導入して、転位配列パターンを推定し、収集した【III】-V族化合物半導体ウエハの転位分布と比較した。次の知見を得た。(1)推定した転位配列パターンと、実物の転位分布はよい一致を示した。(2)低転位あるいは無転位単結晶を育成するには、育成中の熱応力、育成後の残留応力を低減する必要がある。このためには、できる限り低ビオ数になるように、炉内の温度環境を改善することが有効である。(3)具体的には、液体封止剤の層を厚くすること、アフター加熱をすることが考えられる。