次世代省エネルギー半導体用高強度パルス金属イオンビーム発生とイオン注入への応用

次世代省エネルギー用半導体材料への新しいイオン注入技術であるパルスイオン注入法の実現に向け、本研究では真空アーク放電を利用した同軸プラズマガンイオン源を用いたp型ドーパント用のパルスアルミニウムイオンビーム発生技術の開発を行い、アルミニウムの比率が89%という従来技術よりも高純度のパルスアルミニウムイオンビームを得ることができた。さらに、アモルファスシリコン薄膜にイオンビームを照射した結果、アモルファス薄膜が多結晶化しており、パルスイオンビームによる照射効果を確認できた。