ペンデル振動にもとづく靜的デバイクラ-因子測定による結晶評価法の研究

  • 杉田, 吉充 (研究代表者)
  • 飯田, 敏 (研究分担者)

プロジェクトの詳細

研究概要

6.結晶傾斜法で必要な1/μ程度の試料厚さを得るために,GaAs結晶を化学エッチで薄片化する装置を作成した。(μはX線に対する吸収係数)これを用いて,0.3mm厚さの結晶板の中央に直径16mm,厚さ50〜60μmの薄片部(厚さバラツキ土1μm以上)をもつ試料を作る技術を開発した。
ステータス終了
有効開始/終了日1988/01/011989/12/31

資金調達

  • Japan Society for the Promotion of Science: ¥7,000,000

キーワード

  • 結晶完全性評価
  • 結晶傾斜法
  • ペンデル振動
  • 靜的デバイクラ-因子
  • III・V族化合物半導体
  • シリコン
  • 結晶評価法
  • 静的デバイワラ-因子
  • 半導体結晶材料
  • 静的デバイワラー因子
  • Evaluation of Crystal Perfection
  • Crystal Inclination Method
  • Pendellosung Oscillation
  • Static Debye-Waller Factor
  • III-V Compound Semiconductor
  • Silicon