プロジェクトの詳細
研究概要
6.結晶傾斜法で必要な1/μ程度の試料厚さを得るために,GaAs結晶を化学エッチで薄片化する装置を作成した。(μはX線に対する吸収係数)これを用いて,0.3mm厚さの結晶板の中央に直径16mm,厚さ50〜60μmの薄片部(厚さバラツキ土1μm以上)をもつ試料を作る技術を開発した。
ステータス | 終了 |
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有効開始/終了日 | 1988/01/01 → 1989/12/31 |
資金調達
- Japan Society for the Promotion of Science: ¥7,000,000
キーワード
- 結晶完全性評価
- 結晶傾斜法
- ペンデル振動
- 靜的デバイクラ-因子
- III・V族化合物半導体
- シリコン
- 結晶評価法
- 静的デバイワラ-因子
- 半導体結晶材料
- 静的デバイワラー因子
- Evaluation of Crystal Perfection
- Crystal Inclination Method
- Pendellosung Oscillation
- Static Debye-Waller Factor
- III-V Compound Semiconductor
- Silicon