プロジェクトの詳細
研究概要
これらの結果は、ヒ素原子の位置と個数がシングルドーパントデバイスの電子輸送特性を決定する重要な要素であることを示しており、新原理デバイス開発のための設計指針として貢献する。
| ステータス | 終了 |
|---|---|
| 有効開始/終了日 | 2011/01/01 → 2012/12/31 |
資金調達
- Japan Society for the Promotion of Science: ￥1,300,000
キーワード
- 単一ドーパント制御
- シングルイオン注入
- シリコン半導体
- ナノデバイス
- ナノエレクトロニクス
- 物性制御
- シングルドーパントデバイス
- 不純物原子
- 半導体
- シリコン
- シングルイオン注入法
- 不純物揺らぎ
- 単一不純物原子