シングルイオン注入法を用いたシングルドーパントデバイス創製に関する研究

これらの結果は、ヒ素原子の位置と個数がシングルドーパントデバイスの電子輸送特性を決定する重要な要素であることを示しており、新原理デバイス開発のための設計指針として貢献する。