Semiconductor-metal transition of liquid tellurium-arsenic mixtures

H. Ikemoto*, H. Hoshino, T. Miyanaga, I. Yamamoto, H. Endo

*この論文の責任著者

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抄録

The Hall coefficients, RH, conductivity, σ, and the EXAFS spectra of liquid As-Te mixtures containing 0-40 at.% As have been measured up to 600 °C. There are three regimes: I (semiconducting state), II (strong scattering state) and III (metallic state) in the temperature dependence of RH. From EXAFS measurement it is found that the As-Te bonds break with increasing temperature, which coincides with a rapid decrease of RH in regime II, and consequently the network structure of liquid As-Te mixtures is transformed into a chain like structure around 500 °C. The structural transformation induces the transition from a semiconductor to metal.

本文言語英語
ページ(範囲)458-462
ページ数5
ジャーナルJournal of Non-Crystalline Solids
250-252 (II)
DOI
出版ステータス出版済み - 1999/08/01
イベントProceedings of the 1998 10th International Conference on Liquid and Amorphous Metals (LAM-10) - Dortmund, Ger
継続期間: 1998/08/301998/09/04

ASJC Scopus 主題領域

  • 電子材料、光学材料、および磁性材料
  • セラミックおよび複合材料
  • 凝縮系物理学
  • 材料化学

フィンガープリント

「Semiconductor-metal transition of liquid tellurium-arsenic mixtures」の研究トピックを掘り下げます。これらがまとまってユニークなフィンガープリントを構成します。

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