プロジェクトの詳細
研究概要
このような結果は、2元素吸着を用いた新しい超構造や量子細線などの微細構造を形成することに応用できると考えられる。
| ステータス | 終了 |
|---|---|
| 有効開始/終了日 | 1998/01/01 → 2000/12/31 |
資金調達
- Japan Society for the Promotion of Science: ￥2,500,000
キーワード
- シリコン基板
- インジゥム
- アンチモン
- 逐次吸着
- 表面再構成構造
- インジゥムアンチモン
- ヘテロエピタキシャル成長
- 表面相図
- 単分子薄膜
- 相図
- 交互吸着
- 吸着率
- Si substrates
- indium
- antimony
- Sequential deposition
- surface reconstruction
- indium antimonide
- heteroepitaxial growth
- surface phase diagram