プロジェクトの詳細
研究概要
5.今後は実際に膜に電流を流した場合や加熱した場合における電気的特性と結晶性・微細構造との関係を膜厚並び電極の配線幅等を変化させて詳細に調ベることを予定している。
| ステータス | 終了 |
|---|---|
| 有効開始/終了日 | 1991/01/01 → 1992/12/31 |
資金調達
- Japan Society for the Promotion of Science: ￥11,900,000
キーワード
- トロイダルプラズマ
- プラズマフリー
- スパッタ装置
- 薄膜
- 半導体用電極材料
- 緻密・均一性
- エレクトロマイグレーション
- ストレスマイグレーション
- プラズマフリ-
- エレクトロマイグレ-ション
- ストレスマイグレ-ション
- Toroidal plasma
- Plasma-free
- Sputtering apparatus
- Thin films
- Semiconductor electrode materials
- Denseness and homogeneity
- Electromigration
- Stressmigration