単一分子接合のスイッチング機構および熱起電力発生・熱生成と散逸の理論

金属表面に吸着した単一分子に走査トンネル顕微鏡からのトンネル電子を当て、分子内振動励起によって表面での分子吸着状態（特に配向など）が変化することで高低コンダクタンス状態が発現する。この単一分子スイッチング素子の開発に向け、実験指針ともなるべき理論開発を行った。また、振動励起によっておこる様々な動的変化はその反応速度のバイアス依存性（これをアクションスペクトル呼ぶ）の極めて一般的な理論を世界に先駆けて構築することに成功し、種々の系での実験結果を再現することで、さまざまなスイッチング機構の素過程を明らかにした。