タングステン及びモリブデン単結晶の結晶完全性評価とX線用モノクロメ-タ-への応用

広いX線ビ-ムを用いた場合の110反射の回折強度曲線の半値全幅は162"であり、反射率のピ-ク値は43%であった。この反射率はパイロリティックグラファイトのそれと同程度であり、半値幅は1/10程度である。シリコン結晶を比べると、ピ-ク反射率では劣っているが、積分強度ではタングステン結晶の方が優っている。今回の実験で放電加工及び機械加工によってタングステン単結晶の薄片化が可能であることも分かった。