DFB型半導体レ-ザ-による分子の禁制遷移の検出

  • MATUSHIMA, Fusakazu (Principal Investigator)
  • 高木, 光司郎 (Co-Investigator(Kenkyū-buntansha))

Project Details

Abstract

HNOの3重項状態(a^^〜^3A^<11>)を検出するために,分光装置にマイクロ波放電フロ-型セルを製作した。本研究計画のうちで最も感度を必要とするため,実験測定の時間的順序を上記1および2の研究の後に設定したが上記の研究に予定異常の日数を要したため,測定にかかる直前で年度期限を迎えた。
StatusFinished
Effective start/end date1989/01/011989/12/31

Funding

  • Japan Society for the Promotion of Science: ¥2,100,000.00

Keywords

  • レ-ザ-分光学
  • 近赤外分光
  • 半導体レ-ザ-
  • 振動励起状態
  • 禁制遷移
  • 反転二重項
  • 超微細構造