3-5族半導体と3-6族層状半導体のヘテロ界面形成とその物性

ガリウム砒素基板上のガリウムセレン薄膜は最初に基板温度を変え、その薄膜の評価を低速電子エネルギー損失分光法で行ない、ガリウムセレン薄膜が結晶化するための最適温度が250度付近であることを求めた。また、成長様式は層状成長であり、X線回折により薄膜が[001]方向に成長していることが明らかになった。基板温度の違いによる影響として薄膜の状態が異なり、低温ではガリウム不足であり、高温ではセレンの不足の様子が観測された。X線光電子分光によるセレンのスペクトルの結果から、高温成長膜ではガリウム砒素表面で不動態化現象の起きていることが予想された。更に、継続した研究が必要である。