かさ高い置換基を利用した単層モリブデンジカルコゲニド膜孤立分散法の確立

MoCh2は調整可能なバンドギャップ、高い電荷キャリア移動度など、優れた電気的特性をもつことから、そのナノシートは発光、太陽電池、ウェアラブル技術等に適した材料とされている。このMoCh2の特性を最大限に引き出すためには、高効率で単層膜を作成し利用する必要があるが、単層膜の作成には未だ課題が残されている。また、ファンデルワールス相互作用を利用した高分子複合材料としての活用が報告されている他、化学修飾を行うことによる半導体としての評価が行われているが、化学修飾に立体保護基を導入し単層膜の単離を試みた例はなく、本研究課題により新しい単層膜作成技術の確立を目的とする。